• 专利附录
  • 专利说明
  • 权利要求
  • 类似技术
  • 同族专利
  • 引用文献
  • 法律状态
  • 优先权
    • 专利摘要:
    Es wird vorgeschlagen, ein elektrisches Bauelement mit einer Abdeckung und insbesondere mit einer Leiterplatte zu verkapseln und die elektrischen Verbindungen mithilfe eines Leitklebers herzustellen. Dieser kann durch ein Kanalsystem in den Aufbau eingespritzt werden, wobei der elektrische Kurzschluss aller Verbindungen durch einen geeignet geführten Sägeschnitt beim Vereinzeln der Bauelemente wieder aufgetrennt werden kann.It is proposed to encapsulate an electrical component with a cover and in particular with a printed circuit board and to produce the electrical connections by means of a conductive adhesive. This can be injected through a channel system in the structure, wherein the electrical short circuit of all connections can be separated again by a suitably guided saw cut when separating the components.
    公开号:DE102004010703A1
    申请号:DE200410010703
    申请日:2004-03-04
    公开日:2005-09-22
    发明作者:Wolfgang Pahl
    申请人:Epcos AG；
    IPC主号:H01L23-31
    专利说明:
    [0001] Verschiedensteelektrische und mikroelektronische Bauelemente wie Einzelhalbleiter,Speicher, Prozessoren, SAW- und FBAR-Filter oder MEMS werden mit Flächenprozessenauf Waferebene gefertigt. Dabei werden Prozesse wie Schichtabscheidungen,Fotolithografien, selektive Abtragsverfahren oder Druckverfahrenfür eineVielzahl von Bauelementen parallel durchgeführt. Auf einem Wafer entstehendabei eine Vielzahl gleichartiger Chips.variouselectrical and microelectronic devices such as single semiconductors,Memory, processors, SAW and FBAR filters or MEMS are used with area processesmanufactured on wafer level. In the process, processes such as layer deposition,Photolithography, selective removal or printing processesfor oneVariety of components performed in parallel. Emerge on a waferwhile a variety of similar chips.
    [0002] Durchdie Parallelverarbeitung auf Waferebene und die dazu verwendetengroßflächig einsetzbarenProzesse wird der Herstellungsaufwand minimiert. Dieses rationellePrinzip endet jedoch nach dem Vereinzeln der Chips, beispielsweisedurch Sägen.Danach werden die Chips einzeln in Gehäuse montiert und mit internenelektrischen Verbindungen versehen. Anschließend werden die Gehäuse verschlossenund die Bauelemente elektrisch auf ihre Funktion geprüft.Byparallel processing at the wafer level and the ones usedcan be used over a large areaProcesses, the production cost is minimized. This rationalHowever, the principle ends after the singulation of the chips, for exampleby sawing.Thereafter, the chips are mounted individually in housing and with internalprovided electrical connections. Then the housings are closedand the components are electrically tested for their function.
    [0003] DiesesVorgehen ist vergleichsweise zeit- und kostenaufwendig. Es setztauch der fortschreitenden Miniaturisierung Grenzen, da Gehäuse- und Montagetoleranzensowie die Dimensionen der internen elektrischen Verbindungen zusammenwesentlich mehr Platz erfordern, als etwa die in den Waferprozessenerzeugten fotolithografischen Strukturen der einzelnen Bauelemente.ThisProcedure is relatively time consuming and costly. It setsalso the progressive miniaturization limits, there housing and assembly tolerancesas well as the dimensions of the internal electrical connections togetherrequire much more space than those in the wafer processesproduced photolithographic structures of the individual components.
    [0004] Speziellfür Halbleiterbauelemente,meistens auf der Basis von Siliziumwafern, wurden bereits zahlreicheKonzepte fürein sogenanntes WLP (Wafer Level Packaging) entwickelt, bei demdie Verkapselung auf Waferebene in einem Flächenprozess realisiert wird.Die fürHalbleiterbauelemente bekannten WLP-Konzepte basieren in der Mehrzahl auf Bumpverbindungen,die aus auf dem Wafer aufgedampften, gedruckten oder galvanischabgeschiedenen Lotdepots bestehen. Auf diese Bumpverbindungen wirdein weiterer Wafer aufgesetzt, wegen der guten thermomechanischenAnpassung vorzugsweise aus dem gleichen Material, also insbesondereein weiterer Siliziumwafer. Bekannt ist es auch, einen zweiten Waferdirekt aufzusetzen und die elektrischen Verbindungen durch den zweitenWafer mittels Durchkontaktierungen durch den ersten oder zweiten Waferherzustellen. Insgesamt werden WLP-Konzepte bei Halbleiterbauelementeninsbesondere durch folgende drei Randbedingungen begünstigt:Silizium ist ein relativ preisgünstigesMaterial und kann als Abdeckung für einen Wafer mit den Bauelementstrukturenverwendet werden, ohne dass dies zu stark erhöhten Kosten führt.speciallyfor semiconductor devices,mostly based on silicon wafers, have already been numerousConcepts fordeveloped a so-called WLP (Wafer Level Packaging), in whichthe encapsulation is realized at the wafer level in a surface process.The forSemiconductor devices known WLP concepts are based in the majority on Bumpverbindungen,those deposited on the wafer, printed or electroplatedconsist deposited solder deposits. On these bump connections isanother wafer put on, because of the good thermomechanicalAdaptation preferably of the same material, ie in particularanother silicon wafer. It is also known, a second waferdirectly put on and the electrical connections through the secondWafer by means of vias through the first or second wafermanufacture. Overall, WLP concepts in semiconductor devicesfavored in particular by the following three conditions:Silicon is a relatively inexpensive oneMaterial and can be used as a cover for a wafer with the component structuresbe used without this leading to greatly increased costs.
    [0005] Siliziumist außerdemmit Nass- und Trockenätzverfahrensowie mechanisch gut bearbeitbar. Daher lassen sich Durchkontaktierungenin Silizium auf einfache Weise erzeugen und so die elektrischen Verbindungenzwischen Chipkontakten auf der Oberfläche des ersten Wafers und externenAnschlüssen desBauteils in einfacher weise herstellen.siliconis alsowith wet and dry etchingas well as mechanically good machinable. Therefore, can be plated through holesin silicon easily generate and so the electrical connectionsbetween chip contacts on the surface of the first wafer and externalConnections of theManufacture component in a simple manner.
    [0006] Halbleiterbauelementebasieren in der Regel auf rein elektronischen Effekten, die durchmechanische Oberflächenbelastungpraktisch nicht beeinflusst werden. Daher können Halbleiterbauelemente ander Chipoberflächeunmittelbar bedeckt bzw. umhülltwerden. Daher könnenzur Verkapselung zusätzlichzahlreiche kostengünstigeVerfahren aus der Kunststofftechnik eingesetzt werden. Halbleiterbauelementekönnendaher ohne weitere Vorsichtsmaßnahmenvergossen, umspritzt oder umpresst werden.Semiconductor devicesare usually based on purely electronic effects caused bymechanical surface loadpractically unaffected. Therefore, semiconductor devices canthe chip surfaceimmediately covered or wrappedbecome. Therefore, you canin addition to the encapsulationnumerous inexpensiveProcedures used in plastics technology. Semiconductor devicescantherefore without further precautionsbe potted, overmoulded or pressed.
    [0007] Diebekannten WLP-Konzepte sind jedoch nicht übertragbar auf – Bauelementeauf piezoelektrischen Substraten, die keine mechanische Oberflächenbelastung vertragen, – mikromechanischeBauelemente, deren Funktion bei mechanischer Belastung der Oberfläche gestört ist, – Bauelementeauf großenund bruchgefährdeten Chips, – Bauelementeauf Substratmaterialien, die schlecht ätz- und strukturierbar sind, – Bauelementeauf teuren Substraten, bei denen eine Abdeckung aus dem gleichenSubstratmaterial die Kosten steigert. However, the well-known WLP concepts are not transferable - components on piezoelectric substrates that do not tolerate mechanical surface stress, - Micromechanical components whose function is disturbed by mechanical loading of the surface, - components on large and fragile chips, - devices on substrate materials that are poorly etchable and structurable, - Components on expensive substrates, in which a cover made of the same substrate material increases the cost.
    [0008] Aufgabeder vorliegenden Erfindung ist es daher, einen neuen Aufbau für verkapselteBauelemente anzugeben, welcher in einem einfachen Wafer Level Package(WLP)-Verfahren hergestellt werden kann.taskThe present invention is therefore a new structure for encapsulatedSpecify components, which in a simple wafer level package(WLP) method can be produced.
    [0009] DieseAufgabe wird erfindungsgemäß durch einBauelement nach Anspruch 1 gelöst.Vorteilhafte Ausgestaltungen der Erfindung sowie ein neues Verfahrenauf der Basis eines WLP-Prozesses sind weiteren Ansprüchen zuentnehmen.TheseThe object is achieved by aComponent solved according to claim 1.Advantageous embodiments of the invention and a new methodOn the basis of a WLP process are further claimsremove.
    [0010] DieErfindung gibt ein elektrisches Bauelement an, das in oder auf einemSubstrat angeordnet ist. Auf einer Hauptoberfläche des Substrats sind Anschlusskontakteder elektrischen Bauelementstrukturen vorgesehen. Die Verkapselungumfasst eine Abdeckung mit Anschlussflächen und Durchkontaktierungen, über diedurch die Abdeckung hindurch die Anschlusskontakte mit Außenkontaktendes Gesamtbauelements verbunden sind. Die Abdeckung sitzt auf dergenannten Hauptoberflächeso auf, dass die Anschlussflächenauf der "Unterseite" der Abdeckung denAnschlusskontakten auf der Oberseite des Substrats in einem Abstandgegenüberstehen. Zwischenden Kontakten ist eine Kavitätvorgesehen, die vollständigmit einem Leitkleber gefülltist, der die elektrische Verbindung zwischen Substrat und Abdeckungbzw. zwischen den Anschlussflächenund den Anschlusskontakten herstellt. Der in den Kavitäten angeordneteLeitkleber kann auch die mechanische Verbindung zwischen Substratund Abdeckung gewährleistenoder zumindest dazu beitragen.The invention provides an electrical component which is arranged in or on a substrate. Connection contacts of the electrical component structures are provided on a main surface of the substrate. The encapsulation comprises a cover with connection surfaces and plated-through holes, through which the connection contacts are connected to external contacts of the overall component through the cover. The cover sits on the aforementioned main surface so that the pads on the "bottom" of the Abde Cover the connection contacts on the top of the substrate at a distance. Between the contacts, a cavity is provided, which is completely filled with a conductive adhesive, which establishes the electrical connection between the substrate and cover or between the pads and the connection contacts. The conductive adhesive arranged in the cavities can also ensure or at least contribute to the mechanical connection between substrate and cover.
    [0011] EinBauelement mit einer solchen Verkapselung ist insbesondere für bruchempfindlicheSubstrate geeignet, da die Leitkleberverbindung zu keiner mechanischenBelastung von Substrat und/oder Abdeckung während des Verkapselungsprozesses führt, sodass auch im fertigen Bauelement nur geringfügige Spannungen aufgrund derVerkapselung auftreten können.Darüberhinaus ist zur Herstellung dieser elektrischen Verbindung keineextreme Temperaturbelastung des Bauelements erforderlich, wie sieetwa bei der Herstellung einer Lötverbindungoder in einem Waferbondverfahren auftritt. Die Verkapselung istsomit spannungsarm. Sie ist daher besonders für Bauelemente geeignet, derenEigenschaften sich infolge von mechanisch einwirkenden Kräften oderVerspannungen verändern.Die Verkapselung ist mit vielen verschiedenen Substrat- und Abdeckmaterialienausführbar.Vorzugsweise sind Substrat und Abdeckung jedoch bezüglich ihrerthermischen Eigenschaften aufeinander abgestimmt, um beispielsweisewährendeines Betriebs des Bauelements bei höherer Temperatur die thermischenVerspannungen zu minimieren.OneComponent with such encapsulation is especially for fragileSubstrates suitable since the Leitkleberverbindung no mechanicalLoading of substrate and / or cover during the encapsulation process leads, sothat in the finished device only minor voltages due toEncapsulation may occur.About thatIn addition, for the preparation of this electrical connection noextreme temperature load of the device required, as theyfor example in the production of a solder jointor in a wafer bonding process. The encapsulation isthus tension-free. It is therefore particularly suitable for components whoseProperties due to mechanical forces orChange tension.The encapsulation is with many different substrate and cover materialsexecutable.Preferably, however, substrate and cover are with respect to theirthermal properties matched, for examplewhileoperation of the device at higher temperature the thermalMinimize tension.
    [0012] Vorzugsweise öffnen sichdie Kavitätenzu einer Außenkantedes Bauelements, die die Kavitäten schneidet.Zumindest aber sind die Kavitätenin unmittelbarer Näheeiner Außenkanteangeordnet.Preferably openthe cavitiesto an outer edgeof the device that cuts the cavities.But at least the cavities areclosean outer edgearranged.
    [0013] Ineiner vorteilhaften Ausgestaltung der Erfindung ist zwischen Substratund Abdeckung eine Zwischenschicht angeordnet ist, in der die Kavitäten ausgebildetsind. Die Zwischenschicht kann strukturiert sein und allein demZweck dienen, die Kavitäten darinauszubilden. Sie besteht vorzugsweise aus einem leicht strukturierbarenMaterial, insbesondere aus einem Kunststoff. Sie kann bis auf dieKavitäten diegesamte Hauptoberflächebedecken. Möglichist es aber auch, dass die Zwischenschicht weitere Hohlräume aufweist,in denen Bauelementstrukturen angeordnet sein können.InAn advantageous embodiment of the invention is between the substrateand cover an intermediate layer is arranged, in which the cavities formedare. The intermediate layer can be structured and alone theServe purpose, the cavities in ittrain. It preferably consists of a structurable easilyMaterial, in particular of plastic. She can be up to theCavities theentire main surfacecover. Possiblebut it is also the case that the intermediate layer has further cavities,in which component structures can be arranged.
    [0014] Besondersvorteilhaft ist zwischen Substrat und Abdeckung im Bereich der Außenkantedes Bauelements eine ringförmiggeschlossene Rahmenstruktur angeordnet, die nach innen weisende, obenund unten von Substrat und Abdeckung begrenzte Einbuchtungen aufweist,die die genannten Kavitätenausbilden. In diesem sandwichartigen Aufbau ist ein bündiger Kontaktzwischen Substrat, Rahmenstruktur und Abdeckung gegeben, der zumeinen fürein belastungsfreies Aufliegen der Abdeckung auf dem Substrat undzum anderen füreine gewisse Dichtigkeit im Inneren der Rahmenstruktur sorgt. Vorzugsweiseist daher im Inneren der ringförmiggeschlossenen Rahmenstruktur zwischen Substrat und Abdeckung einHohlraum ausgebildet, in dem empfindliche Bauelementstrukturen angeordnetwerden können.Die Rahmenstruktur umschließtdabei die Bauelementstrukturen so, dass deren Anschlussflächen außerhalbdes Rahmens in den genannten Einbuchtungen bzw. Kavitäten angeordnetsind.Especiallyis advantageous between substrate and cover in the region of the outer edgeof the device a ring-shapedclosed frame structure arranged inward, topand has indentations defined below by substrate and cover,the said cavitiesform. In this sandwich structure is a flush contactbetween substrate, frame structure and cover given to theone fora stress-free resting of the cover on the substrate andfor anotherensures a certain tightness inside the frame structure. Preferablyis therefore inside the ring-shapedclosed frame structure between substrate and coverCavity formed, arranged in the sensitive component structurescan be.The frame structure encloseswhile the component structures so that their connection surfaces outsideof the frame in the recesses or cavities arrangedare.
    [0015] Vorzugsweiseist die Abdeckung als Leiterplatte ausgebildet, die beispielsweisezwei dielektrische Schichten umfasst. Auf der Oberseite oder Unterseiteder Abdeckung sowie zwischen den dielektrischen Lagen sind vorzugsweiseSchaltungselemente umfassende strukturierte Metallisierungen angeordnet.Die in unterschiedlichen Ebenen angeordneten Metallisierungen können über Durchkontaktierungen miteinanderverbunden sein. Die Außenanschlüsse sindvorzugsweise auf der vom Substrat wegweisenden Oberfläche derAbdeckung angeordnet.Preferablythe cover is designed as a printed circuit board, for examplecomprises two dielectric layers. On the top or bottomthe cover and between the dielectric layers are preferablyCircuit elements arranged structured metallizations.The arranged in different levels metallizations can via vias togetherbe connected. The external connections arepreferably on the surface facing away from the substrate of theCover arranged.
    [0016] DieAbdeckung kann ein- oder mehrschichtig aus Kunststoff, Glas, Keramikoder anderen dielektrischen Materialien sein. Ein bevorzugtes Materialist ein mit Glasgewebe verstärktesLeiterplattenmaterial (FR4), das in zumindest einer Achse thermomechanischsehr gut an piezoelektrische Substrate aus Lithiumniobat angepasstist.TheCover can be single or multi-layered plastic, glass, ceramicor other dielectric materials. A preferred materialis a reinforced with glass fabricPrinted circuit board material (FR4), the thermomechanical in at least one axisvery well adapted to piezoelectric substrates made of lithium niobateis.
    [0017] UnterLeitkleber wird im Sinne der Erfindung ein in flüssigem oder ausreichend niederviskosem Zustandverarbeitbares, bei Betriebstemperatur des Bauelements aber festesleitfähigesMaterial verstanden, insbesondere ein leitfähiger Kunststoff, der sich aushärten lässt odereinfach nur erstarrt. Vorzugsweise ist der Leitkleber ein bei niedrigenTemperaturen härtendes,mit elektrisch leitenden Partikeln gefülltes Reaktionsharz. NiedrigeAushärttemperaturen vonbeispielsweise unter 100 °Ckönnenmit Zwei-Komponenten-Reaktionsharzen erreicht werden, bei denenHarz und Härterkomponentekurz vor der Anwendung vermischt werden. Möglich ist es auch, licht- oder UV-härtende Harzeeinzusetzen. Diese Möglichkeitbesteht insbesondere dann, wenn Substrat oder Abdeckung im erforderlichenSpektralbereich ausreichend durchlässig sind und der Kleber damitvon außenbelichtet oder bestrahlt werden kann. Insgesamt wird es mit einembei niedrigen Temperaturen härtendemLeitkleber möglich,die Verklebung mittels des Leitklebers so zu führen, dass nach Härtung desKlebers keine thermischen Spannungen entstehen. Dies kann beispielsweiseauch durch Mikrowellenbestrahlung erzielt werden.UnderFor the purposes of the invention, conductive adhesive is in a liquid or sufficiently low-viscosity stateprocessable, but at the operating temperature of the device fixedconductiveMaterial understood, in particular a conductive plastic that can be cured orjust frozen. Preferably, the conductive adhesive is at lowTemperatures hardening,filled with electrically conductive particles reaction resin. LowCuring temperatures offor example, below 100 ° Ccanbe achieved with two-component reaction resins, in whichResin and hardener componentbe mixed just before use. It is also possible, light or UV curing resinsuse. This possibilityexists in particular if substrate or cover in the requiredSpectral range are sufficiently permeable and the glue with itfrom the outsidecan be exposed or irradiated. Overall it will be with onecuring at low temperaturesConductive adhesive possible,to carry out the bonding by means of the conductive adhesive so that after hardening of theGlue no thermal stresses arise. This can be, for examplealso be achieved by microwave irradiation.
    [0018] Einebevorzugte Anwendung eines erfindungsgemäßen Bauelements sind mit akustischen Wellenarbeitende Bauelemente, insbesondere SAW-Filter und FBAR-Bauelemente.Auch für MEMS-Bauelementeist der erfindungsgemäße Verkapselungsaufbauvon Vorteil, insbesondere in Verbindung mit einer Rahmenstruktur,die einen Hohlraum fürdie Bauelementstrukturen zur Verfügung stellt. Besonders vorteilhaftwird die Erfindung zur Realisierung von SAW- und FBAR-Bauelementen eingesetzt,wenn diese mit niedrigen Frequenzen (z.B. unter 100 MHz) arbeitenund daher besonders großeSubstrate benötigen.Aufgrund der Sprödigkeit derbekannten, kristallinen, piezoelektrischen Materialien sind große Substratedaraus besonders bruchgefährdetund konnten bislang ausschließlichdurch Einsetzen in Gehäuseund Kontaktieren mittels Drahtbondtechniken verkapselt und geschützt werden.Gegenübereinem in ein Gehäuseeingebautem Bauelement hat ein erfindungsgemäßes Bauelement den Vorteileiner wesentlich geringeren Bauhöhe,die den Bauelementen neue Anwendungen insbesondere in mobilen Geräten derInformations- und Kommunikationstechnologie zugänglich macht, z.B. Handys undPDAs.A preferred application of an invent Component according to the invention are working with acoustic waves components, in particular SAW filter and FBAR components. The encapsulation structure according to the invention is also advantageous for MEMS components, in particular in conjunction with a frame structure which provides a cavity for the component structures. The invention is used particularly advantageously for the realization of SAW and FBAR components when they operate at low frequencies (eg below 100 MHz) and therefore require particularly large substrates. Due to the brittleness of the known, crystalline, piezoelectric materials, large substrates are particularly susceptible to breakage and could hitherto be encapsulated and protected exclusively by insertion into housings and contacting by means of wire bonding techniques. Compared to a built-in housing component, a device according to the invention has the advantage of a significantly lower height, which makes the components new applications, especially in mobile devices of information and communication technology, eg mobile phones and PDAs.
    [0019] Erfindungsgemäße Bauelementelassen sich besonders einfach und elegant in einem neuartigen Verfahrenherstellen. Erfindungsgemäßes Prinzipist es, das Substrat mit den Bauelementstrukturen und eine Abdeckungpassend so übereinanderanzuordnen, dass Anschlussflächenund Anschlusskontakte einander gegenüberstehen, aber um die Höhe der weiteroben beschriebenen Rahmenstruktur oder Zwischenschicht voneinandergetrennt sind.Inventive componentscan be particularly simple and elegant in a novel processproduce. Inventive principleit is the substrate with the device structures and a covermatching one anotherarrange that padsand terminal contacts face each other, but by the height of the nextabove-described frame structure or interlayer from each otherare separated.
    [0020] AufWaferebene wird der Leitkleber anschließend durch ein System von Kanälen in dieAnordnung eingespritzt, wobei jeder Kanal mehrere Kavitäten miteinanderverbindet, vorzugsweise zwischen den Bauelementen angeordnet istund das Bauelement möglichstgeradlinig durchquert. Beim Einspritzen werden alle Kanäle und mitdiesen verbundene Kavitätenin einem Schritt ausgefülltund die den Kavitätenzugeordneten elektrischen Verbindungen zwischen Substrat und Abdeckunggeschaffen.OnWafer level, the conductive adhesive is then through a system of channels in theInjected arrangement, each channel having multiple cavities with each otherconnects, is preferably arranged between the componentsand the component as possiblestraight through. When injecting all channels and withthese connected cavitiescompleted in one stepand the cavitiesassociated electrical connections between substrate and covercreated.
    [0021] Ineinem zweiten Schritt wird die Vereinzelung der Bauelemente so durchgeführt, dassdie über diegefülltenKanäleelektrisch kurzgeschlossenen Kavitäten mit einem geeigneten geführten Sägeschnittelektrisch getrennt werden. Dies gelingt vorteilhaft durch annähernd geradlinigeFührungder Kanäle,die sich an den entsprechenden Abständen zu den genannten Kavitäten erweitern.Beim Vereinzeln ist es möglich,den Sägeschnittentweder entlang der Kante des Kanals zu führen oder vorteilhaft die Breite desSägeschnittesso einzustellen, dass sie der Kanalbreite entspricht. Bei mit demKanal deckungsgleicher Schnittführungwird währenddes Sägeschnitts dergesamte Kanal und der darin eingefüllte Leitkleber entfernt. Alternativzum Sägeneignen sich natürlichauch andere Trennverfahren wie Laserschneiden oder Wasserstrahlschneiden.InIn a second step, the separation of the components is carried out so thatthe over thefilledchannelselectrically shorted cavities with a suitable guided saw cutbe electrically isolated. This is advantageously achieved by approximately rectilinearguidethe channels,which expand at the corresponding distances to the cavities mentioned.When singling it is possiblethe saw cuteither along the edge of the channel or advantageously the width of the channelsaw cutadjust so that it corresponds to the channel width. At with theChannel congruent cutis duringof the cut of theentire channel and filled in it conductive adhesive removed. alternativefor sawingare naturalOther separation methods such as laser cutting or water jet cutting.
    [0022] Aufdem Wafer werden mehrere Bauelementbereiche mit den Bauelementstrukturenvorgesehen. Vorteilhaft werden die Kanäle zwischen zwei Reihen vonnebeneinander angeordneten Bauelementbereichen vorgesehen. Je nachGröße des für das Substratverwendeten Wafers könnenmehrere vorzugsweise zueinander parallele Kanäle vorgesehen sein. Die Kanäle können sowohlauf der Oberflächedes Substratwafers als auch auf der Oberfläche der Abdeckung oder aufbeiden Oberflächenerzeugt werden. Die Kanälekönnenin Form von Vertiefungen in der entsprechenden Oberfläche ausgebildetwerden. Vorzugsweise wird zur Herstellung der Kanäle jedochein zusätzlichesMaterial auf eine oder beide Oberflächen aufgebracht, vorzugsweisein Form von Rahmenstrukturen, die die Bauelementbereiche ringförmig umschließen. Mehrerenebeneinanderliegende und mit ihren Rahmenstrukturen aneinanderstoßende Bauelementbereichebilden mit einer Seitenkante der Rahmenstruktur, vorzugsweise miteiner Längskanteeine Seitenwand des Kanals. Die andere Seitenwand wird von einerweiteren Reihe mit ihren Rahmenstrukturen aneinanderstoßender Bauelementbereichegebildet. Auf zumindest einer Kanalseite sind die Rahmenstrukturenzur Ausbildung der Kavitätennach innen eingebuchtet. Dies bedeutet, dass jeder Kanal nur dieKavitäteneiner Reihe von Bauelementbereichen miteinander verbindet, während diegegenüberliegendeReihe von Bauelementbereichen, die die andere Kanalwandung bildet,vorzugsweise geradlinig und ohne Einbuchtungen ausgebildet ist.Dies erleichtert späterdas zuverlässige Freisägen desgefülltenKanals zur elektrischen Auftrennung.Onthe wafer becomes a plurality of device regions with the device structuresintended. Advantageously, the channels between two rows ofprovided adjacent component areas. Depending onSize of the substrateused wafers cana plurality of preferably mutually parallel channels may be provided. The channels can bothon the surfaceof the substrate wafer as well as on the surface of the cover or onboth surfacesbe generated. The channelscanformed in the form of depressions in the corresponding surfacebecome. Preferably, however, for the production of the channelsan additionalMaterial applied to one or both surfaces, preferablyin the form of frame structures, which enclose the component areas annular. Severaladjacent and with their frame structures abutting component areasform with a side edge of the frame structure, preferably witha longitudinal edgea side wall of the canal. The other sidewall is from aanother series with their frame structures abutting component areaseducated. On at least one channel side are the frame structuresfor the formation of the cavitiesIndented inside. This means that each channel only thewellsconnects a number of device areas, while theopposingSeries of component areas forming the other channel wall,preferably formed in a straight line and without indentations.This facilitates laterthe reliable sawing of thefilledChannels for electrical separation.
    [0023] DieRahmenstrukturen werden wie gesagt auf einer oder beiden miteinanderzu verbindenden Oberflächenausgebildet. Dazu wird vorzugsweise großflächig ein geeignetes Materialaufgebracht, beispielsweise eine Kunststofffolie aufgeklebt, auflaminiertoder aufgeschmolzen. Möglichist es auch, die Kunststoffschicht mittels eines Lacks aufzubringen, beispielsweisedurch Aufschleudern, Aufgießenund insbesondere durch Vorhanggießen. Vorzugsweise wird einlichtempfindliches Material verwendet, welches sich in der Art einesFotoresists strukturieren lässt.TheFrame structures are, as I said, on one or bothto be joined surfaceseducated. For this purpose, preferably a large area a suitable materialapplied, for example, a plastic film glued, laminatedor melted. PossibleIt is also to apply the plastic layer by means of a lacquer, for exampleby spin-coating, pouringand in particular by curtain coating. Preferably, aused photosensitive material, which is in the nature of aPatterned photoresists.
    [0024] Vorteilhaftwird die Kunststoffschicht, aus der die Rahmenstrukturen ausgebildetwerden sollen, vor dem Strukturieren planarisiert. Auf diese Weise können Substratunebenheiten ausgeglichenwerden und auf einem Niveau befindliche Oberkanten für die Rahmenstrukturengeschaffen werden. Im Fall, dass sowohl Substrat als auch Abdeckungtopografische Stufen aufweisen, beispielsweise Leiterbahnen oder anderebauelementbedingte Strukturen, so ist es vorteilhaft, sowohl aufder Oberflächedes Substrats als auch auf der Unterseite der Abdeckung je einekorrespondierende Rahmenstruktur mit planarisierten Oberkanten zuerzeugen.Advantageously, the plastic layer from which the frame structures are to be formed is planarized prior to structuring. In this way, substrate unevenness can be compensated and leveled top edges for the frame structures can be created. In the case that both substrate and cover have topographic steps, such as tracks or Other component-related structures, it is advantageous to produce both on the surface of the substrate and on the underside of the cover depending on a corresponding frame structure with planarized top edges.
    [0025] DieStrukturierung erfolgt durch bildgebende Belichtung, wobei die Kunststoffschichtfür dieRahmenstruktur vorzugsweise bei Belichtung vernetzt und gegenüber einerEntwicklung in den belichteten Bereichen unlöslich wird. Nach dem Strukturierender Rahmenstruktur werden Substrat und Abdeckung zueinander ausgerichtet, übereinanderangeordnet und vorzugsweise an den Oberkanten der Rahmenstrukturmit Klebstoff versehen und verklebt. Das Verkleben hat den Vorteil,dass auf diese Weise schnell eine korrespondierende Anordnung vonSubstrat und Abdeckung relativ zueinander positionsgenau fixiert wird.Beim Einspritzen des Leitklebers ist dann keine zusätzliche äußere Fixierungder Anordnung mehr erforderlich, was einen erheblich vermindertenVerfahrensaufwand und eine schnelle Freigabe der mit hoher Positionierungsgenauigkeitarbeitenden Vorrichtung bedeutet.TheStructuring is done by imaging exposure, the plastic layerfor theFrame structure preferably crosslinked on exposure and compared to oneDevelopment in the exposed areas becomes insoluble. After structuringThe frame structure substrate and cover are aligned with each other, one above the otherarranged and preferably at the upper edges of the frame structureprovided with adhesive and glued. Gluing has the advantagethat in this way quickly a corresponding arrangement ofSubstrate and cover is fixed relative to each other positionally accurate.When injecting the conductive adhesive is then no additional external fixationthe arrangement required more, which significantly reducedProcedural effort and rapid release of high positioning accuracymeans working device.
    [0026] Alternativkönnendie Kanäleoder Teile davon in die Substrat- oder Abdeckungsoberfläche eingearbeitetwerden, beispielsweise durch Sägen, Ätzen oderLasern.alternativecanthe channelsor parts thereof incorporated into the substrate or cover surfacebe, for example, by sawing, etching orLasers.
    [0027] DasEinspritzen von Leitkleber kann parallel über alle Kanäle gleichzeitigvorgenommen werden. Es ist vorteilhaft, dazu alle Kanäle oderGruppen davon zusammen zu führen,um nur eine oder nur wenige Einspritzstellen zu erzielen. Vorzugsweise erfolgtdas Einspritzen unter Druck, und wird durch einen zusätzlich amebenfalls offenen anderen Ende der Kanäle Unterdruck unterstützt. Weitervorteilhaft ist es, die Viskositätdes Leitklebers durch Einspritzen bei erhöhter Temperatur herabzusetzen.Vorteilhaft sind Temperaturen, die noch nicht zur Härtung desLeitklebers ausreichend sind. Möglichist es auch, als Leitkleber eine thermoplastische Masse zu verwenden,die in geschmolzenem Zustand eingespritzt wird und beim Abkühlen schließlich wiedererstarrt. Die elektrische Leitfähigkeitdes Leitklebers kann intrinsischer Natur sein oder durch Zugabeeines leitfähigenFüllstoffshergestellt werden. Geeignete leitfähige Partikel sind z.B. Metallpulveroder kohlenstoffhaltige Partikel, beispielsweise Ruß oder Graphit.TheInjection of conductive adhesive can be done in parallel across all channels simultaneouslybe made. It is advantageous to do all channels orTo bring groups togetherto achieve only one or only a few injection points. Preferably takes placethe injection under pressure, and is characterized by an additional onalso open the other end of the channels supports negative pressure. FurtherIt is advantageous, the viscosityof the conductive adhesive by injecting at elevated temperature.Temperatures that are not yet suitable for hardening are advantageousConductive adhesives are sufficient. Possibleit is also to use a thermoplastic compound as a conductive adhesive,which is injected in the molten state and finally on coolingstiffens. The electrical conductivityof the conductive adhesive may be intrinsic or by additiona conductivefillergetting produced. Suitable conductive particles are e.g. metal powderor carbonaceous particles, such as carbon black or graphite.
    [0028] Gegenüber anderenKontaktierverfahren, die auf gedruckten, gestempelten oder aufdispensierten Leitklebervoluminabasieren, ist der wesentliche Vorteil der vorliegenden Erfindung,dass hier eine äußerst einfache,rationelle und sichere Applikation des Leitklebers erfolgen kann,die dennoch die hohe Genauigkeit und Reproduzierbarkeit der Geometrieder einzelnen Kontaktstelle ermöglicht,welche der Präzisiondes vorzugsweise fototechnisch strukturierten Rahmens entspricht.Over otherContacting methods based on printed, stamped or dispensed conductive adhesive volumesis the essential advantage of the present invention,that here is an extremely simple,rational and safe application of the conductive adhesive can take place,nevertheless the high accuracy and reproducibility of the geometrythe individual contact point allowswhich of the precisionof the preferably phototechnically structured frame corresponds.
    [0029] Imfolgenden wird die Erfindung anhand von Ausführungsbeispielen und der dazugehörigen Figurennäher erläutert. DieFiguren sind schematisch und nicht maßstabsgetreu ausgeführt.in theThe following is the invention with reference to embodiments and the associated figuresexplained in more detail. TheFigures are schematic and not drawn to scale.
    [0030] 1 zeigtein erfindungsgemäßes Bauelementin perspektivischer Darstellung 1 shows a device according to the invention in a perspective view
    [0031] 2 zeigtdas Bauelement in einem ersten Schnittbild 2 shows the device in a first sectional view
    [0032] 3 zeigtdas Bauelement in einem zweiten Schnittbild 3 shows the device in a second sectional view
    [0033] 4 zeigteine Abdeckung im Querschnitt 4 shows a cover in cross section
    [0034] 5 zeigt Substrat und Abdeckung in der Draufsicht 5 shows substrate and cover in plan view
    [0035] 6 zeigteinen Wafer mit Rahmenstrukturen 6 shows a wafer with frame structures
    [0036] 7 zeigtden Wafer mit mit Leitkleber gefülltenKanälen 7 shows the wafer with channels filled with conductive adhesive
    [0037] 8 zeigtden Wafer nach der Durchführungvon Sägeschnitten 8th shows the wafer after performing saw cuts
    [0038] 9 bis 12 zeigenein Bauelement währendverschiedener Verfahrensstufen eines weiteren Ausführungsbeispielsin perspektivischer Teildarstellung. 9 to 12 show a component during various process stages of another embodiment in perspective partial representation.
    [0039] 1 zeigtein einfaches Ausführungsbeispielfür einerfindungsgemäßes Bauelementin perspektivischer Darstellung. Das Bauelement BE umfasst ein SubstratSU, auf oder in dem elektrische Bauelementstrukturen (nicht dargestellt)realisiert sind. Elektrische Anschlusskontakte ANK sind mit denBauelementstrukturen verbunden. Auf der Oberseite des SubstratsSU ist eine Rahmenstruktur RS angeordnet, die als Abstandshalterfür eineAbdeckung AD dient, die auf der Rahmenstruktur RS aufliegt. DieAbdeckung AD weist AnschlussflächenAF auf, die im Bauelement BE direkt gegenüber den AnschlusskontaktenANK angeordnet sind. Die elektrische Verbindung zwischen Anschlussflächen und Anschlusskontaktenist mittels eines Leitklebers LK realisiert, der eine Kavität innerhalbdes Bauelements ausfüllt.Vorteilhaft ist die Kavitätinnerhalb der Rahmenstruktur RS realisiert. Auf der AußenseiteAS der Abdeckung sind AußenkontakteAUK angeordnet, die mit den Anschlussflächen auf der Unterseite derAbdeckung AD überDurchkontaktierungen (nicht dargestellt) verbunden sind. 1 shows a simple embodiment of a device according to the invention in a perspective view. The component BE comprises a substrate SU on or in which electrical component structures (not illustrated) are realized. Electrical connection contacts ANK are connected to the component structures. On the upper side of the substrate SU, a frame structure RS is arranged, which serves as a spacer for a cover AD, which rests on the frame structure RS. The cover AD has connection surfaces AF, which are arranged in the component BE directly opposite the connection contacts ANK. The electrical connection between connection surfaces and connection contacts is realized by means of a conductive adhesive LK, which fills a cavity within the component. Advantageously, the cavity is realized within the frame structure RS. On the outside AS of the cover external contacts AUK are arranged, which are connected to the pads on the underside of the cover AD via vias (not shown).
    [0040] 2 zeigtdas gleiche Bauelement im schematischen Querschnitt durch die Schnittebene 2-2 querzur Substratoberfläche.In dieser Darstellung ist gut zu erkennen, dass der in der Kavität angeordnete LeitkleberLK zwischen Abdeckung AD, Rahmenstruktur RS und Substrat SU angeordnetist, die einen Teil der Kavitätbilden. In der Figur ist eine vorteilhafte Ausführung dargestellt, bei derdie Rahmenstruktur entlang der Bauelementkanten verläuft undeinen Hohlraum HR beidseitig begrenzt, der unten vom Substrat SUund oben von der Abdeckung AD verschlossen ist. Beispielhaft sindim Hohlraum Bauelementstrukturen BS dargestellt, vorteilhaft Bauelementstrukturen,die gegen mechanische Einwirkungen empfindlich sind. weiterhin isthier beispielhaft eine Durchkontaktierung D dargestellt, die dieAnschlussflächeAF mit dem AußenkontaktAUK verbindet. 2 shows the same component in a schematic cross section through the cutting plane 2-2 transverse to the substrate surface. In this illustration, it can be clearly seen that the conductive adhesive LK arranged in the cavity is arranged between cover AD, frame structure RS and substrate SU, which form part of the cavity. In the figure, an advantageous embodiment is shown, in which the frame structure extends along the component edges and a cavity HR bounded on both sides, which is closed at the bottom of the substrate SU and top of the cover AD. By way of example, component structures BS are shown in the cavity, advantageously component structures which are sensitive to mechanical influences. Furthermore, a through-connection D is shown here by way of example, which connects the connection surface AF with the external contact AUK.
    [0041] 3 zeigteinen Querschnitt durch das gleiche Bauelement entlang der Schnittebene 3-3,die auf Höheder Rahmenstruktur parallel zur Substratoberfläche verläuft. Daraus ist ersichtlich,dass die Rahmenstruktur RS ringförmiggeschlossen ist und an zumindest einer Seite Einbuchtungen aufweist, dieeinen Teil der mit Leitkleber LK gefüllten Kavität ausbilden. 3 shows a cross section through the same component along the cutting plane 3-3 which runs parallel to the substrate surface at the level of the frame structure. It can be seen that the frame structure RS is closed in a ring shape and has indentations on at least one side, which form part of the filled with conductive adhesive LK cavity.
    [0042] 4 zeigtim schematischen Querschnitt eine Abdeckung AD, die hier als mehrschichtigeLeiterplatte ausgebildet ist. Sie besteht hier aus zwei dielektrischenSchichten DS1, DS2 und drei Metallisierungsebenen ML1, ML2 und ML3,die auf der Unterseite der Abdeckung, zwischen den dielektrischen SchichtenDS1, DS2 und auf der Außenseiteder Abdeckung AD angeordnet sind. Jede der MetallisierungsebenenME ist strukturiert, so dass in jeder Metallisierungsebene metallischeFlächen,Leiterbahnen und Leiterbahnstrukturen ausgebildet sind, die eineVerschaltungsebene zur Herstellung einer integrierten Verschaltungdarstellen. Möglichist es auch, innerhalb der mehrschichtigen Abdeckung passive Bauelementezu integrieren, insbesondere Widerstände, Kapazitäten undInduktivitäten. 4 shows in schematic cross section a cover AD, which is designed here as a multilayer printed circuit board. It consists here of two dielectric layers DS1, DS2 and three metallization levels ML1, ML2 and ML3, which are arranged on the underside of the cover, between the dielectric layers DS1, DS2 and on the outside of the cover AD. Each of the metallization levels ME is structured such that metal surfaces, interconnects and interconnect structures are formed in each metallization level, which represent an interconnect level for producing an integrated interconnection. It is also possible to integrate passive components within the multi-layered cover, in particular resistors, capacitances and inductances.
    [0043] 5a zeigtin schematischer Draufsicht ein Substrat SU. Dieses weist schematischangedeutete Bauelementstrukturen BS auf, die über Anschlussleitungen AL mitden Anschlusskontakten ANK verbunden sind. Die AnschlusskontakteANK sind direkt an der Kante des Substrats oder zumindest in unmittelbarerNähe derSubstratkante angeordnet. Die Bauelementstrukturen können miteiner relativ dünnen (wenigerals 100 nm), passivierenden dielektrischen Schicht geschützt sein,wobei dann die Anschlusskontakte ANK von dieser passivierenden Schicht ausgenommensind. 5a shows a schematic plan view of a substrate SU. This has schematically indicated component structures BS, which are connected via connection lines AL with the connection contacts ANK. The connection contacts ANK are arranged directly on the edge of the substrate or at least in the immediate vicinity of the substrate edge. The device structures may be protected with a relatively thin (less than 100 nm), passivating dielectric layer, in which case the connection contacts ANK are excluded from this passivating layer.
    [0044] DieMetallisierung fürdie Anschlusskontakte ANK besteht vorzugsweise aus einer Basismetallisierungz.B. aus Aluminium oder einer überwiegendAluminium enthaltenden Legierung. Diese Basismetallisierung kannmit einer oder mehreren weiteren Metallschichten überzogensein, die ausgewähltsein könnenaus Cu, Ti, Ni, Ag, Au, Pd und Pt.TheMetallization forthe connection contacts ANK preferably consists of a base metallizatione.g. made of aluminum or one predominantlyAluminum-containing alloy. This basic metallization cancoated with one or more further metal layersbe selectedcould beof Cu, Ti, Ni, Ag, Au, Pd and Pt.
    [0045] 5b zeigtin schematischer Draufsicht die Unterseite der Abdeckung AD, diezumindest metallische Anschlussflächen AF aufweist, die korrespondierendzu den Anschlusskontakten ANK des Substrats SU angeordnet sind.Darüberhinaus könnenauf dieser Unterseite der Abdeckung AD weitere Schaltungselementeder Metallisierungsebene ML1 (siehe 4) angeordnetsein. 5b shows a schematic plan view of the underside of the cover AD having at least metallic pads AF, which are arranged corresponding to the terminal contacts ANK of the substrate SU. In addition, on this underside of the cover AD further circuit elements of the metallization ML1 (see 4 ) can be arranged.
    [0046] DieHerstellung eines erfindungsgemäßen Bauelementswird im folgenden anhand der 6 bis 8 erläutert, dieverschiedene Verfahrensstufen in schematischer Darstellung zeigen.The production of a device according to the invention is described below with reference to 6 to 8th which show various process steps in a schematic representation.
    [0047] Einerfindungsgemäßes Bauelementkann vollständigauf Waferebene in einem WLP (Wafer Level Packaging)-Prozess hergestelltwerden. In oder auf dem Substrat SU – hier ein Wafer – werdennun die Bauelementstrukturen füreine Vielzahl von Bauelementen hergestellt. Jeder Bauelementbereich,in dem sämtlicheBauelementstrukturen eines Bauelements angeordnet sind, wird nunmit einer Rahmenstruktur RS versehen, die den Bauelementbereichringförmigumschließt.Dazu wird vorteilhaft ein fotostrukturierbares Material auf derWaferoberfläche aufgebrachtund fotolithografisch strukturiert. Vorzugsweise wird dazu einefotostrukturierbare Folie auflaminiert und gegebenenfalls anschließend planarisiert,beispielsweise mittels einer Walze bei erhöhter Temperatur und unter einemgeeigneten Walzdruck. Auch ein entsprechender Fotolack ist geeignet.Oneinventive componentcan completelyat the wafer level in a WLP (Wafer Level Packaging) processbecome. In or on the substrate SU - here a wafer - becomenow the component structures formade a variety of components. Each component area,in which allComponent structures of a component are now arrangedprovided with a frame structure RS, which is the component areaannularencloses.For this purpose, a photo-structurable material on theWafer surface appliedand photolithographically structured. Preferably, this is aphotoimageable film laminated and optionally then planarized,for example, by means of a roller at elevated temperature and under asuitable rolling pressure. Also, a corresponding photoresist is suitable.
    [0048] 6 zeigtdie Anordnung nach der Fertigstellung der Rahmenstruktur RS. DieRahmenstruktur ist erfindungsgemäß so ausgebildet,dass zwischen je zwei Reihen benachbarter Bauelementbereiche einKanal CH verbleibt, der sich geradlinig quer über den ganzen Wafer erstrecktund an beiden Waferkanten je eine Öffnung aufweist. An zumindest einerAußenkante,vorzugsweise an der Längskante derRahmenstruktur eines Bauelementbereiches erweitert sich der KanalCH zu einer KavitätKV, in dem die Rahmenstruktur RS an dieser Stelle eine Einbuchtungaufweist. In der vorteilhaften dargestellten Ausführungsformsind die KavitätenKV nur an einer Längsseitejedes Bauelementbereiches angeordnet, wobei alle Bauelementbereichein gleicher Ausrichtung nebeneinander angeordnet sind. Die Kavität weistim Querschnitt parallel zur Substratoberfläche vorzugsweise ein strömungsgünstigesProfil auf, um den Strömungswiderstandbeim späterenEinspritzen des Leitklebers zu minimieren und ein gutes Befüllen derKavitätenzu ermöglichen.In der Figur sind die Kavitätenim Profil mit abgeschrägtenKanten dargestellt. Möglichsind jedoch auch gerundeten Strukturen. Die Anzahl der Kavitäten proBauelementbereich kann frei gewähltwerden, vorzugsweise sind jedoch zumindest zwei Kavitäten für entsprechendeelektrische Anschlusskontakte, die innerhalb der Einbuchtung angeordnetsind, vorgesehen. Die Geometrie der Kanäle CH wird in Abhängigkeitvon den Fließeigenschaftendes verwendeten Leitklebers gewählt. Einetypische Kanalhöheliegt beispielsweise bei 50 μm,doch könnendie Kanäleauch Höhenvon 10 bis 300 μmannehmen. Entsprechend wird die Breite beispielhaft bei 100 μm gewählt, wobeiin Abhängigkeit vomgewähltenVereinzelungsverfahren auch geringere Breiten von 20 μm oder größere Breitenbis zu beispielsweise 300 μmmöglichsind. SämtlicheKanäleCH des Wafers werden vorzugsweise parallel zueinander angeordnet.Vorteilhaft werden auch Kreuzungen vermieden, also Kanalstrukturen,die x- oder y-förmigausgebildet sind. Dadurch wird eine blasenfreie Füllung mitdem Leitkleber erleichtert. 6 shows the arrangement after the completion of the frame structure RS. The frame structure according to the invention is designed so that between each two rows of adjacent device regions, a channel CH remains, which extends in a straight line across the entire wafer and at both wafer edges each having an opening. At at least one outer edge, preferably at the longitudinal edge of the frame structure of a component region, the channel CH widens to a cavity KV, in which the frame structure RS has a recess at this point. In the advantageous embodiment shown, the cavities KV are arranged only on one longitudinal side of each component region, wherein all component regions are arranged side by side in the same orientation. The cavity has in cross-section parallel to the substrate surface preferably a flow-favorable profile in order to minimize the flow resistance during subsequent injection of the conductive adhesive and to allow a good filling of the cavities. In the figure are the Cavities shown in profile with bevelled edges. However, rounded structures are also possible. The number of cavities per component region can be chosen freely, but preferably at least two cavities are provided for corresponding electrical connection contacts which are arranged within the indentation. The geometry of the channels CH is selected as a function of the flow properties of the conductive adhesive used. For example, a typical channel height is 50 μm, but the channels can also assume heights of 10 to 300 μm. Accordingly, the width is selected as an example at 100 microns, which also smaller widths of 20 microns or larger widths up to, for example, 300 microns are possible depending on the selected singulation. All channels CH of the wafer are preferably arranged parallel to each other. Intersections are also advantageously avoided, ie channel structures which are designed in an X or Y-shape. This facilitates a bubble-free filling with the conductive adhesive.
    [0049] ImnächstenSchritt wird eine Abdeckung AD vorbereitet, die zu den AnschlusskontaktenANK korrespondierende Anschlussflächen AF aufweist. Gegebenenfallskann auch die Abdeckung AD eine zu der Rahmenstruktur RS auf demSubstrat SU korrespondierende zweite Rahmenstruktur aufweisen, um imKontaktbereich zur ersten Rahmenstruktur auf dem Substrat eine planeOberflächezur Verfügung zustellen. Dies kann aber auch erreicht werden, wenn die Abdeckungauf der Unterseite mit einer Planarisierungsschicht versehen ist,in der die AnschlussflächenAF freigelegt sind. Damit könnenTopographie unterscheide, die bei Leiterbahnen beispielhaft 15–30 μm betragenkönnen,ausgeglichen werden. Anschließendwird die Abdeckung AD auf die Rahmenstruktur RS aufgelegt und beispielsweise mittelseiner Klebeschicht KS, die auf eine oder beide Fügestellen, vorzugsweise aufdie Oberkante der Rahmenstruktur RS aufgebracht wird, miteinander verklebt.Mit der Abdeckung wird zumindest erreicht, dass die Kanäle CH unddie KavitätenKV oben abgedeckt sind, um ein geschlossenes Leitungssystem/Kanalsystemfür denLeitkleber zu schaffen.in thenextStep is prepared a cover AD, which to the connection contactsANK corresponding pads AF has. PossiblyAlso, the cover AD can be attached to the frame structure RS on theSubstrate SU have corresponding second frame structure to inContact area to the first frame structure on the substrate a planesurfaceavailable tooput. But this can also be achieved if the coverprovided on the bottom with a planarization layer,in the connecting surfacesAF are exposed. With that you canTopography different, which are exemplary 15-30 microns in interconnectscan,be compensated. Subsequentlythe cover AD is placed on the frame structure RS and, for example by means ofan adhesive layer KS, on one or both joints, preferably onthe top edge of the frame structure RS is applied, glued together.With the cover is at least achieved that the channels CH andthe cavitiesKV above are covered by a closed pipe system / duct systemfor theTo create conductive adhesive.
    [0050] ImnächstenSchritt wird der Leitkleber an den äußeren Öffnungen der Kanäle CH eingespritzt, vorzugsweisemit Hilfe eines Überdrucksauf der Einspritzseite und paralleles Anlegen eines Unterdrucks amanderen offenen Ende des Kanals. Das Einspritzen kann für jedenKanal CH einzeln erfolgen, möglichist es jedoch auch, mithilfe geeigneter Vorrichtungen den Leitkleberan allen Kanälenauf dem Wafer gleichzeitig einzuspritzen. Diese vollständige oder gruppenweiseVerbindung der Kanälekann auch im Layout der Rahmenstruktur vorgesehen werden, z.B. amRand des Wafers.in thenextStep, the conductive adhesive is injected at the outer openings of the channels CH, preferablywith the help of an overpressureon the injection side and parallel application of a negative pressure onother open end of the channel. The injection can be for everyoneChannel CH individually, possibleHowever, it is also, using suitable devices, the conductive adhesiveon all channelsinject simultaneously on the wafer. This complete or groupwiseConnection of the channelsmay also be provided in the layout of the frame structure, e.g. at theEdge of the wafer.
    [0051] In 7 istdas Bauelement nach dem Einspritzen des Leitklebers LK dargestellt,der die KanäleCH und KavitätenKV blasenfrei und vollständigbefüllt.Der besseren Übersichtlichkeitwegen ist die Abdeckung AD nicht mit dargestellt, so dass nun eine Draufsichtdie üblicherweisemit der Abdeckung verschlossenen bzw. abgedeckten Bauelementbereiche,Rahmenstrukturen und mit Leitkleber LK gefüllten Kanäle möglich ist. Nach dem Einspritzenkann der Leitkleber LK ausgehärtetwerden.In 7 the component is shown after the injection of conductive adhesive LK, the bubbles CH and cavities KV bubble-free and completely filled. For better clarity, the cover AD is not shown, so that now a plan view of the normally closed with the cover or covered component areas, frame structures and filled with conductive adhesive LK channels is possible. After injection, the conductive adhesive LK can be cured.
    [0052] ImnächstenSchritt werden die Bauelemente vereinzelt. Dies kann beispielsweisemittels Sägen entlangder Grenzen der Bauelementbereiche erfolgen. Die Sägeschnittewerden vorzugsweise so geführt,dass die Rahmenstruktur weitgehend erhalten wird bzw. dass der vonihr umschlossene Hohlraum nicht geöffnet wird. Wichtig ist auch,dass der Sägeschnitt,der parallel zu den Kanälengeführtwird, die KavitätenKV öffnet,den Kurzschluss durch den in den Kanälen CH angeordneten Leitkleberjedoch beseitigt. In der 8 ist dies beispielsweise anhand dervorderen Schnittkante SK1 dargestellt, bei der der Leitkleber nachdem Sägeschnittausschließlich inden zur Schnittkante geöffnetenKavitätenverbleibt. Bezüglichder gegenüberliegendenSchnittkante, in der Figur z.B. die hintere Schnittkante SK2, istes möglich,dass eine streifenförmigeLeitkleberstruktur LKS verbleibt. Dies istproblemlos, da an dieser Stelle kein Kurzschluss zwischen verschiedenen Kavitäten bzw.den darunter angeordneten Anschlussflächen erfolgen kann. Wahlweisekann der Sägeschnittauch so geführtwerden, dass die Schnittbreite des Sägewerkzeugs zumindest der Breitedes Kanals CH entspricht, so dass während des Schnittes der Leitkleberauf ganzer Kanalbreite mit entfernt wird.In the next step, the components are separated. This can be done, for example, by means of sawing along the boundaries of the component areas. The saw cuts are preferably guided so that the frame structure is largely preserved or that the cavity enclosed by it is not opened. It is also important that the saw cut, which is guided parallel to the channels, opens the cavities KV, but eliminates the short circuit through the conductive adhesive arranged in the channels CH. In the 8th This is shown, for example, on the basis of the front cutting edge SK1, in which the conductive adhesive remains after the saw cut exclusively in the cavities open to the cutting edge. With respect to the opposite cutting edge, in the figure, for example, the rear cutting edge SK2, it is possible that a strip-shaped conductive adhesive structure LK S remains. This is problem-free, since at this point no short circuit between different cavities or the connection surfaces arranged underneath can take place. Optionally, the saw cut can also be performed so that the cutting width of the sawing tool at least equal to the width of the channel CH, so that during the cut of the conductive adhesive on the entire channel width is removed.
    [0053] Auchin der 8 ist die auf der Rahmenstruktur RS aufliegendeAbdeckung, die bei der Vereinzelung mit durchtrennt wird, der Übersichtlichkeithalber nicht dargestellt. Nach der Durchführung eines weiteren Sägeschnittsentlang der angedeuteten Trennungslinie TL werden einzelne Bauelemente,wie etwa in 1 dargestellt, erhalten.Also in the 8th is the resting on the frame structure RS cover, which is severed in the singling with, for the sake of clarity, not shown. After performing another saw cut along the indicated dividing line TL, individual components, such as in 1 shown, received.
    [0054] Mitden bisher beschriebenen Verfahren werden Bauelemente erhalten,bei denen die Bauelementkante die Kavitäten schneidet, so dass derdarin angeordnete Leitkleber außenoffen liegt. Im folgenden wird anhand der 9 bis 12 eineVerfahrensvariante vorgestellt, die ebenfalls auf Waferebene durchzuführen ist,mit der außenisolierte mit Leitkleber befüllteKavitätenerhalten werden können.With the methods described so far, components are obtained in which the component edge intersects the cavities, so that the conductive adhesive disposed therein lies open on the outside. The following is based on the 9 to 12 presented a process variant, which is also carried out at wafer level, with the outside isolated filled with conductive adhesive cavities can be obtained.
    [0055] 9 zeigtdie Anordnung in einer der 7 entsprechendenVerfahrensstufe im schematischen Querschnitt, also nach dem Befüllen derKanäleCH mit Leitkleber. Dargestellt ist ein Kanal, der beiderseits voneiner ersten und zweiten Rahmenstruktur RS1, RS2 begrenzt ist. 9 shows the arrangement in one of 7 corresponding process step in the schematic cross section, ie after filling the channels CH with conductive adhesive. Shown is a channel which is bounded on both sides by a first and second frame structure RS1, RS2.
    [0056] Miteinem ersten Sägeschnitt,der hier beispielsweise von der Oberseite der Abdeckung AD her geführt istund mindestens bis zur Oberflächedes Substrats SU reicht, wird die elektrische Auftrennung der Kavitäten vorgenommen.Vorzugsweise entspricht die Schnittbreite SB1 des ersten Sägeschnitts derKanalbreite.Witha first saw cut,which is guided here, for example, from the top of the cover AD agoand at least to the surfaceof the substrate SU, the electrical separation of the cavities is made.Preferably, the cutting width SB1 of the first saw cut corresponds toChannel width.
    [0057] Ineinem nächstenSchritt wird der Einschnitt dieses ersten Sägeschnitts vorzugsweise vollständig miteiner Isoliermasse IM befüllt,beispielsweise mit einem Reaktionsharz oder mit einer isolierenden Paste.Inone nextStep, the incision of this first Sägeschnitt preferably complete withan insulating material IM filled,for example with a reaction resin or with an insulating paste.
    [0058] 11 zeigtdie Anordnung nach dem Befüllendes ersten Sägeeinschnittsmit der isolierenden Masse IM. 11 shows the arrangement after filling the first sawing incision with the insulating mass IM.
    [0059] Anschließend wirdzur Vereinzelung der Bauelemente ein zweiter Sägeschnitt der Sägebreite SB2mit vorzugsweise schmalerem Sägeblattdurch die gesamte Anordnung parallel zum ersten Sägeschnittso geführt,dass auf einer Seite des Einschnitts ein Streifen IsoliermaterialIM verbleibt. Dieser Isoliermaterialstreifen isoliert die im erstenSägeschnittgeöffnetenKavitätenbzw. den dort angeordneten Leitkleber LK. Auf diese Weise wird einBauelement erhalten, dessen Bauelementstrukturen gegenüber derSchnittkante elektrisch isoliert sind. Un gewünschte Kurzschlüsse beiKontakt mit leitenden Strukturen können so vermieden werden.Subsequently, willfor separating the components, a second saw cut of the saw width SB2preferably with a narrower saw bladethrough the entire arrangement parallel to the first saw cutso guided,that on one side of the incision a strip of insulating materialIM remains. This Isoliermaterialstreifen isolated in the firstSaw cutopenwellsor the conductive adhesive LK arranged there. In this way one becomesComponent obtained whose component structures compared to theCutting edge are electrically isolated. Unwanted short circuits atContact with conductive structures can thus be avoided.
    [0060] Ineiner Abwandlung dieses Verfahrens wird der geöffnete Kanal nicht vollständig miteinem isolierenden Material (IM) gefüllt. Vielmehr wird im Bereich desersten Sägeschnittsnur eine relativ dünne Schichteines isolierenden Materials abgeschieden oder aufgetragen.Ina variation of this method, the open channel is not completely withan insulating material (IM) filled. Rather, in the field offirst saw cutonly a relatively thin layerdeposited or applied an insulating material.
    [0061] Möglich istes auch, zumindest die Schnittkanten der Rahmenstruktur (RS) miteinem Überzug abzudichten,der nach dem Vereinzeln mittels Lackauftrag oder Gasphasenabscheidungerzeugt wird. Als Lack ist insbesondere ein anorganisch modifiziertesPolymer geeignet. Durch Gasphasenabscheidung können auch Polymere wie z.B.Parylene ® aufgebrachtoder eine dielektrische Schicht, z.B. eine SiO2 Schichtaufgesputtert werden. Dies kann z.B. nach dem Vereinzeln erfolgen,wobei die Bauelemente währenddessenauf einer Klebefolie gehalten werden können, auf der sie mit ihrendie Außenkontakte(AUK) tragenden Oberflächenaufsitzen können.It is also possible to seal at least the cut edges of the frame structure (RS) with a coating which is produced after separation by means of paint application or vapor deposition. As the paint, an inorganic-modified polymer is particularly suitable. By vapor deposition, polymers such as Parylene ® applied or sputtered a dielectric layer, such as a SiO 2 layer can be sputtered. This can be done, for example, after singulation, wherein the components can be held while on an adhesive film on which they can sit with their outer contacts (AUK) bearing surfaces.
    [0062] Einevorteilhafte Anwendung findet das erfindungsgemäße Verfahren zum Herstellenvon großflächigen Bauelementenund insbesondere zum Herstellen von mit akustischen Wellen arbeitenden SAW-Bauelementenoder FBAR-Bauelementen. Deren gegen mechanische Einwirkung empfindlichen Bauelementstrukturenkönnenim Prozess vorteilhaft im durch die Rahmenstruktur gebildeten Hohlraum angeordnetund so mechanisch geschütztwerden. Auch währenddes Herstellverfahrens wird eine zu starke Belastung des Substratwafersvermieden, wie sie beispielsweise bei der bekannten Flip-Chip-Anordnungauftreten würden.Mithin ist das erfindungsgemäße Verfahrenauch zum Herstellen großflächiger Bauelementemit sprödenund bruchempfindlichen Substraten geeignet. Mit akustischen Wellenarbeitende Bauelemente, besitzen insbesondere bei niedriger MittenfrequenzgroßeDimensionen und konnten bislang nur durch Einzelverarbeitung inGehäusenverpackt und geschütztwerden. Erfindungsgemäß hergestellteSAW-Filter finden daher vorzugsweise für TV-, Audio- und Video-Anwendungen,also Multimedia-AnwendungenVerwendung.AAdvantageous application finds the inventive method for manufacturingof large-scale componentsand in particular for producing acoustic wave SAW devicesor FBAR components. Their sensitive to mechanical action component structurescanin the process advantageously arranged in the cavity formed by the frame structureand so mechanically protectedbecome. Even whilethe manufacturing process is too heavy a burden of the substrate waferavoided, as for example in the known flip-chip arrangementwould occur.Thus, the method of the inventionalso for producing large-scale componentswith brittleand fracture-sensitive substrates. With acoustic wavesworking components, especially at low center frequencysizeDimensions and could so far only by individual processing inhousingspacked and protectedbecome. Produced according to the inventionSAW filters are therefore preferred for TV, audio and video applications,So multimedia applicationsUse.
    [0063] Für die genanntenmit akustischen Wellen arbeitenden Bauelemente kann vorteilhaftauf der Unterseite des Substrats in einem beliebigen Verfahrensschrittvor dem Vereinzeln eine thermische Ausgleichsschicht aufgebrachtwerden, die die im übrigenSandwich-Aufbau aus Substrat, Rahmenstruktur und Abdeckung sichaufbauenden thermischen Verspannungen ausgleichen kann und daherinsbesondere aus dem gleichen Material wie die Abdeckung gefertigtist. Eine solche Ausgleichsschicht hat bei mit akustischen Wellenarbeitenden Bauelementen den Vorteil, dass damit störende Volumenwellengedämpftund deren Reflexion an der Unterseite unterdrückt werden kann. Auch dieserEffekt ist insbesondere bei Bauelementen störend, die mit geringen Frequenzen,damit hohen Wellenlängenim Bereich der Substratdicke arbeiten, so dass dort verstärkt Volumenwellenbis zur Substratunterseite sich ausbreiten können. Aus diesem Grund, undauch weil erfindungsgemäß verkapselteBauelement mechanisch stabil sind, kann das Substrat vor der Beschichtung vonder Substratunterseite her gedünntwerden. Möglichist es auch, von vorneherein einen dünneren Wafer zu verwenden,da der erfindungsgemäße Aufbaudie Bauelemente mechanisch stabilisiert, was insbesondere beim Vereinzelndie Bruchgefahr mindert. Erfindungsgemäße Bauelemente können auf Wafernerzeugt werden, die deutlich unter 500 μm dick sind und z.B. eine Dickevon 250–400 μm besitzen,ohne dass dies den Ausschuss durch Waferbruch erhöht.For the mentionedWith acoustic waves working components can be advantageouson the underside of the substrate in any process stepbefore separating a thermal compensation layer appliedwho, by the waySandwich construction of substrate, frame structure and cover itselfcan compensate for building thermal tension and thereforeespecially made of the same material as the coveris. Such a leveling layer has with acoustic wavesworking components have the advantage that so disturbing bulk wavesmutedand whose reflection at the bottom can be suppressed. This tooEffect is particularly troublesome for components that operate at low frequencies,thus high wavelengthswork in the region of the substrate thickness, so that there increases volume wavescan spread to the substrate bottom. For this reason, andalso because encapsulated according to the inventionComponent are mechanically stable, the substrate before the coating ofthe substrate underside thinnedbecome. Possibleit's also like using a thinner wafer right from the start,since the structure of the inventionthe components mechanically stabilized, which is especially when singulatingthe risk of breakage is reduced. Components according to the invention can be applied to waferswhich are well below 500 microns thick and e.g. a thicknessof 250-400 μm,without this increasing the scrap due to wafer breakage.
    权利要求:
    Claims (21)
    [1]
    Elektrisches Bauelement mit einem Substrat(SU), das Anschlusskontakte (ANK) für elektrische Bauelementstrukturen(BS) auf einer Hauptoberflächeaufweist, mit einer Abdeckung (AD), die Anschlussflächen (AF) und über elektrischeDurchkontaktierungen (D) mit diesen verbundene Außenkontakte(AUK) aufweist, wobei die Abdeckung auf der Hauptoberfläche aufsitztund wobei die elektrische Verbindung zwischen den Anschlusskontaktenauf dem Substrat und den korrespondierend dazu angeordneten Anschlussflächen aufder Unterseite der Abdeckung übermit Leitkleber (LK) vollständiggefüllteKavitäten(KV) erfolgt, die zwischen Substrat und Abdeckung angeordnet sind.Electrical component having a substrate (SU), which has connection contacts (ANK) for electrical component structures (BS) on a main surface, with a cover (AD), the connection surfaces (AF) and via electrical vias (D) with external contacts (AUK ), wherein the cover on the main surface on sits and wherein the electrical connection between the terminal contacts on the substrate and the correspondingly arranged connection surfaces on the underside of the cover over with conductive adhesive (LK) completely filled cavities (KV) takes place, which are arranged between the substrate and cover.
    [2]
    Bauelement nach Anspruch 1 bei dem die Kavitäten (KV)von einer Außenkantedes Bauelements (BE) geschnitten werden oder zumindest in unmittelbarerNähe einerAußenkanteangeordnet sind.Component according to Claim 1, in which the cavities (KV)from an outer edgeof the component (BE) are cut or at least in the immediateNear oneouter edgeare arranged.
    [3]
    Bauelement nach Anspruch 1 oder 2, bei dem zwischenSubstrat (SU) und Abdeckung (AD) eine Zwischenschicht angeordnetist, in der die Kavitäten (KV)ausgebildet sind.Component according to claim 1 or 2, wherein betweenSubstrate (SU) and cover (AD) arranged an intermediate layeris where the cavities (KV)are formed.
    [4]
    Bauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 3, bei dem zwischenSubstrat (SU) und Abdeckung (AD) im Bereich der Außenkanteeine ringförmiggeschlossene Rahmenstruktur (RS) angeordnet ist, die nach innenweisende, oben und unten von Substrat und Abdeckung begrenzte Einbuchtungenaufweist, die die genannten Kavitäten (KV) darstellen.Component according to one of claims 1 to 3, wherein betweenSubstrate (SU) and cover (AD) in the area of the outer edgea ring-shapedclosed frame structure (RS) is arranged, the insidefacing indentations defined at the top and bottom by the substrate and coverhaving, which represent said cavities (KV).
    [5]
    Bauelement nach Anspruch 4, – bei dem die Rahmenstruktur(RS) die Bauelementstrukturen (BS) umschließt, – bei dem die Anschlusskontakte(ANK) außerhalb derRahmenstruktur angeordnet sind, – bei dem Substrat (SU) undAbdeckung (AD) auf je einer Seite der Rahmenstruktur flach aufliegen,so dass ein die Bauelementstrukturen aufnehmender abgeschlossenerHohlraum (HR) ausgebildet ist.Component according to Claim 4,- where the frame structure(RS) encloses the component structures (BS),- in which the connection contacts(ANK) outside theFrame structure are arranged- In the substrate (SU) andCover (AD) lie flat on one side of the frame structure,so that the component structures receiving completedCavity (HR) is formed.
    [6]
    Bauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 5, bei dem die Abdeckung(AD) ein zumindest eine dielektrische Schicht (DS) umfassender Träger ist, beidem auf oder zwischen den dielektrischen Schichten Schaltungselementeumfassende strukturierte Metallisierungen (ML) angeordnet sind.Component according to one of claims 1 to 5, wherein the cover(AD) is a carrier comprising at least one dielectric layer (DS)on or between the dielectric layers, circuit elementscomprehensive structured metallizations (ML) are arranged.
    [7]
    Bauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 6, bei dem der Leitkleber(LK) ein bei niederen Temperaturen härtendes, mit elektrisch leitendenPartikeln gefülltesReaktionsharz ist.Component according to one of claims 1 to 6, wherein the conductive adhesive(LK) a curing at low temperatures, with electrically conductiveParticles filledReaction resin is.
    [8]
    Verfahren zur Herstellung eines Bauelements, – bei demauf einem Substrat (SU) mehrere Bauelementbereiche für jeweilsein Bauelement (BE) vorgesehen werden, die jeweils Bauelementstrukturen (BS)und Anschlusskontakte (ANK) aufweisen, – bei dem das Substrat undeine Abdeckung (AD), die auf einer Seite mit den Anschlusskontaktenkorrespondierende elektrische Anschlussflächen (AF) aufweist, passendso übereinanderangeordnet werden, dass Anschlussflächen und Anschlusskontakteeinander in Kavitäten(KV) gegenüberstehen, – bei demdie Kavitätenjeweils mehrerer Bauelementbereiche über Kanäle (CH) verbunden werden, – bei demin die Kanäleein Leitkleber (LK) eingespritzt wird, bis sämtliche Kavitäten mitdem Leitkleber befülltsind, wobei ein elektrischer Kontakt zwischen den Anschlusskontaktenund den korrespondierenden elektrischen Anschlussflächen entsteht – bei demje Bauelementbereich ein Bauelement vereinzelt wird, bei dem dieelektrische Verbindung zwischen den Kavitäten aufgetrennt wird.Method for producing a component,- in whichon a substrate (SU) several component areas for eacha component (BE) are provided, each having component structures (BS)and connection contacts (ANK) have,- in which the substrate anda cover (AD) on one side with the connectorscorresponding electrical connection surfaces (AF), fittingso on top of each otherbe arranged that pads and connectorseach other in cavitiesFace (KV),- in whichthe cavitiesin each case a plurality of component regions are connected via channels (CH),- in whichinto the channelsa Leitkleber (LK) is injected until all cavities withthe conductive adhesive filledare, with an electrical contact between the terminalsand the corresponding electrical connection surfaces arises- in whicheach component area a component is isolated, in which theelectrical connection between the cavities is separated.
    [9]
    Verfahren nach Anspruch 8, – bei dem zwischen Substrat(SU) und Abdeckung (AD) je Bauelementbereich eine Rahmenstruktur (RS)vorgesehen wird, die den Bauelementbereich umschließt, wobeinur die Anschlusskontakte (ANK) in Einbuchtungen außerhalbder ringförmiggeschlossenen Rahmenstruktur (RS) angeordnet sind, – bei demdie Kanäle(CH) zwischen den Rahmenstrukturen benachbarter Bauelementbereiche entstehenund jeweils oben und unten von Substrat und Abdeckung abgeschlossensind.Method according to claim 8,- between the substrate(SU) and cover (AD) per component area a frame structure (RS)is provided, which encloses the device area, whereinonly the connection contacts (ANK) in indentations outsidethe ring-shapedclosed frame structure (RS) are arranged,- in whichthe channels(CH) arise between the frame structures of adjacent device areasand completed at the top and bottom of substrate and coverare.
    [10]
    Verfahren nach Anspruch 8 oder 9, bei dem als Leitkleber(LK) ein mit elektrisch leitenden Partikeln gefülltes Reaktionsharz verwendetwird.A method according to claim 8 or 9, wherein as conductive adhesive(LK) used a filled with electrically conductive particles reaction resinbecomes.
    [11]
    Verfahren nach einem der Ansprüche 9 oder 10, bei dem dieRahmenstruktur (RS) durch Strukturieren eines Fotoresistmaterialshergestellt wird, welches vorher großflächig auf eine oder beide dereinander gegenüberliegendenOberflächenvon Substrat (SU) und Abdeckung (AD) aufgebracht wird.Method according to one of claims 9 or 10, in which theFrame structure (RS) by patterning a photoresist materialis prepared, which previously large-scale on one or both of theopposite each othersurfacessubstrate (SU) and cover (AD) is applied.
    [12]
    Verfahren nach einem der Ansprüche 9 bis 11, bei dem die Rahmenstruktur(RS) auf einer Oberflächedes Substrats (SU) oder der Abdeckung (AD) erzeugt und mit der Abdeckungoder dem Substrat verklebt wird, oder bei dem auf beiden Oberflächen korrespondierendeRahmenstrukturen (RS) erzeugt und diese miteinander verklebt werden.Method according to one of claims 9 to 11, wherein the frame structure(RS) on a surfaceof the substrate (SU) or the cover (AD) and with the coveror adhered to the substrate, or at the corresponding on both surfacesFrame structures (RS) generated and these are glued together.
    [13]
    Verfahren nach einem der Ansprüche 9 bis 12, bei dem die Rahmenstrukturen(RS) vor dem übereinanderAnordnen plananarisiert werden, so dass die Oberkanten aller Rahmenstrukturenauf dem gleichen Niveau liegen.Method according to one of claims 9 to 12, wherein the frame structures(RS) in front of each otherArrange plananarisiert, so that the upper edges of all frame structuresto be at the same level.
    [14]
    Verfahren nach einem der Ansprüche 8 bis 13, bei dem das Einspritzendes Leitklebers (LK) in die Kanäle(CH) unter Druck erfolgt.Method according to one of claims 8 to 13, wherein the injectionconductive adhesive (LK) into the channels(CH) under pressure.
    [15]
    Verfahren nach einem der Ansprüche 8 bis 14, bei dem das Vereinzelnmittels Sägenerfolgt, wobei die Sägeschnitteparallel zu den Kanälen(CH) geführtwird, wobei die Kavitäten(KV) jedes Kanals so angeschnitten werden, dass der Leitkleber (LK) ausschließlich inden angeschnittenen Kavitätenverbleibt, in den Kanälenaber abgetrennt oder beim Sägenmit herausgelöstwird.Method according to one of claims 8 to 14, wherein the singulatingby sawingtakes place, with the saw cutsparallel to the channels(CH) ledis, where the cavities(KV) of each channel are cut so that the conductive adhesive (LK) exclusively inthe cut cavitiesremains in the channelsbut separated or when sawingwith dissolved outbecomes.
    [16]
    Verfahren nach einem der Ansprüche 8 bis 15, bei dem zumindestdie Schnittkanten der Rahmenstruktur (RS) mit einem Überzug abgedichtet werden.Method according to one of claims 8 to 15, wherein at leastthe cut edges of the frame structure (RS) are sealed with a coating.
    [17]
    Verfahren nach Anspruch 16, bei dem der Überzug nachdem Vereinzeln mittels Lackauftrag oder Gasphasenabscheidung erzeugtwird.The method of claim 16, wherein the coating is afterthe separation produced by means of paint application or vapor depositionbecomes.
    [18]
    Verfahren nach einem der Ansprüche 8 bis 17, bei dem die Kavitäten (KV)je Bauelementbereich nur an einer Längskante vorgesehen werden,bei dem die Kanäle(CH) parallel zu dieser Längskante angeordnetwerden und im Wesentlichen geradlinig innerhalb der Anordnung ausSubstrat (SU) und Abdeckung (AD) verlaufen.Method according to one of Claims 8 to 17, in which the cavities (KV)per component area are only provided on one longitudinal edge,where the channels(CH) arranged parallel to this longitudinal edgebecome essentially straightforward within the arrangementSubstrate (SU) and cover (AD) run.
    [19]
    Verfahren nach einem der Ansprüche 8 bis 18, bei dem ein ersterSägeschnittmit relativ großer Schnittbreite(SB1) von Substrat (SU) oder der Abdeckung (AD) her parallel zueinem Kanal (CH) so geführtwird, dass die mit dem Leitkleber (LK) gefüllten Kavitäten (KV) elektrisch voneinandergetrennt werden und der Kanal dabei oben geöffnet wird, bei dem der geöffnete Kanalmit einem isolierenden Material (IM) gefüllt wird, bei dem anschließend einzweiter durchgehender Sägeschnittmit relativ geringer Schnittbreite (SB2) geführt wird, wobei der Sägeschnittmit einem Abstand zu den im ersten Sägeschnitt geöffnetenKavitätengeführtwird.Method according to one of claims 8 to 18, wherein a firstSaw cutwith a relatively large cutting width(SB1) from substrate (SU) or the cover (AD) parallel toa channel (CH) so ledis that the filled with the conductive adhesive (LK) cavities (KV) electrically from each otherbe disconnected and the channel is opened at the top, where the open channelis filled with an insulating material (IM), in which subsequently asecond continuous saw cutwith a relatively small cutting width (SB2) is performed, the saw cutwith a distance to those opened in the first saw cutwellsguidedbecomes.
    [20]
    Verfahren nach Anspruch 19, bei dem der geöffnete Kanalnicht vollständigmit einem isolierenden Material (IM) gefüllt wird, und bei dem nur eine Schichteines isolierenden Materials (IM) abgeschieden oder aufgetragenwird.The method of claim 19, wherein the opened channelnot completelyis filled with an insulating material (IM), and in which only one layeran insulating material (IM) deposited or appliedbecomes.
    [21]
    Verfahren nach einem der Ansprüche 8 bis 20, bei dem als Abdeckung(AD) eine Leiterplatte aus Kunststoff verwendet wird und bei demvor dem Vereinzeln auf die Rückseitedes Substrats (SU) eine thermomechanisch angepasste Kunststoffschichtso aufgebracht wird, dass fürdas Bauelement ein bezüglichdes thermischen Ausdehnungsverhalten sich symmetrisch verhaltenderSchichtaufbau erhalten wird.Method according to one of claims 8 to 20, wherein as cover(AD) a plastic circuit board is used and in whichbefore singulating on the backof the substrate (SU) a thermomechanically adapted plastic layerso that is applied forthe component a respectthe thermal expansion behaves symmetrically behavingLayer structure is obtained.
    类似技术:
    公开号 | 公开日 | 专利标题
    DE102010030760B4|2014-07-24|Semiconductor device with via contacts with a stress relaxation mechanism and method of making the same
    DE102012107696B4|2020-06-04|Semiconductor device and method of manufacturing a semiconductor device including grinding steps
    DE102009015722B4|2020-07-09|Semiconductor module
    EP2462633B1|2018-09-05|Verfahren zur herstellung eines optoelektronischen halbleiterbauelements und optoelektronisches halbleiterbauelement
    DE602004009821T2|2008-03-06|Semiconductor device and manufacturing method thereof
    DE602004004944T2|2007-11-08|Piezoelectric oscillator, its manufacturing method, piezoelectric oscillator mobile telephone apparatus, and piezoelectric oscillator electronic apparatus
    DE102010060503B4|2014-10-16|Method for producing a laminate electronic component
    DE102005047856B4|2007-09-06|Semiconductor component with semiconductor device components embedded in a plastic housing composition, system carrier for accommodating the semiconductor device components and method for producing the system carrier and semiconductor components
    EP1356518B1|2019-03-06|Substrat für ein elektrisches bauelement und verfahren zur herstellung
    DE102008025223B4|2012-12-06|Electronic module with embedded chip component and method for its production
    DE102009019446B4|2014-11-13|MEMS microphone
    EP0862788B1|2003-02-26|Herstellungsverfahren eines vertikal integrierten halbleiterbauelements
    DE102005053767B4|2014-10-30|MEMS microphone, method of manufacture and method of installation
    DE102007040149B4|2018-09-27|Method for producing a semiconductor chip module and a semiconductor chip package
    DE102011016554B4|2018-11-22|Wafer level package and method of manufacture
    EP0759231B1|1998-12-23|Verkapselung für elektronische bauelemente
    DE10137184B4|2007-09-06|Method for producing an electronic component with a plastic housing and electronic component
    EP3078089B1|2019-07-03|Verfahren zur herstellung eines deckelsubstrats und gehäustes strahlungsemittierendes bauelement
    DE102009006826B4|2019-02-21|Semiconductor device and method for manufacturing a semiconductor device
    DE102008045338B4|2014-05-15|Semiconductor device and method for manufacturing a semiconductor device
    EP0610709B1|1998-06-10|Verfahren zur Herstellung einer dreidimensionalen Schaltungsanordnung
    EP1394855B1|2012-12-19|Verfahren zur Herstellung eines universellen Gehäuses für ein elektronisches Bauteil mit Halbleiterchip
    DE102014109909B4|2020-08-13|Chip assembly with embedded passive component and method of manufacture
    EP2259311B1|2018-07-25|Verfahren zum Einbetten zumindest eines Bauelements in einem Leiterplattenelement
    EP0931343B1|2002-08-07|Chipmodul insbesondere zur implantation in einen chipkartenkörper
    同族专利:
    公开号 | 公开日
    JP2007526641A|2007-09-13|
    WO2005086233A3|2006-01-12|
    WO2005086233A2|2005-09-15|
    US20070290374A1|2007-12-20|
    DE102004010703B4|2015-03-12|
    KR20070012659A|2007-01-26|
    CN1930684A|2007-03-14|
    引用文献:
    公开号 | 申请日 | 公开日 | 申请人 | 专利标题
    法律状态:
    2011-03-17| 8110| Request for examination paragraph 44|
    2014-06-30| R016| Response to examination communication|
    2014-11-25| R018| Grant decision by examination section/examining division|
    2015-12-15| R020| Patent grant now final|
    2017-04-26| R081| Change of applicant/patentee|Owner name: SNAPTRACK, INC., SAN DIEGO, US Free format text: FORMER OWNER: EPCOS AG, 81669 MUENCHEN, DE |
    2017-04-26| R082| Change of representative|Representative=s name: BARDEHLE PAGENBERG PARTNERSCHAFT MBB PATENTANW, DE |
    优先权:
    申请号 | 申请日 | 专利标题
    DE200410010703|DE102004010703B4|2004-03-04|2004-03-04|Component with WLP-capable encapsulation and manufacturing process|DE200410010703| DE102004010703B4|2004-03-04|2004-03-04|Component with WLP-capable encapsulation and manufacturing process|
    CN 200580007027| CN1930684A|2004-03-04|2005-01-14|具有能进行wlp的封装机构的元件和加工方法|
    US10/591,027| US20070290374A1|2004-03-04|2005-01-14|Component with Encapsulation Suitable for Wlp and Production Method|
    PCT/EP2005/000327| WO2005086233A2|2004-03-04|2005-01-14|Bauelement mit wlp-fähiger verkapselung und herstellverfahren|
    JP2007501135A| JP2007526641A|2004-03-04|2005-01-14|Packaging electrical component that can be manufactured by WLP method and manufacturing method thereof|
    KR1020067020143A| KR20070012659A|2004-03-04|2005-01-14|Ｗｌｐ에 적합하게 패키징된 부품 및 그의 제조 방법|
    [返回顶部]